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IEEE Journal of the Electron Devices Society

收录 1,673 篇论文，累计被引 27,001 次，出版年份 2013–2026。

收录篇数
1,673
总被引
27,001
篇均被引
16
单篇最高被引
635
年份区间
2013–2026
近五年篇数
801

逐年收录分布

近 14 个有收录的年份（最多 40 个）。悬停查看当年篇数。

01122232013 年：24 篇20132014 年：41 篇2015 年：60 篇20152016 年：79 篇2017 年：98 篇20172018 年：175 篇2019 年：172 篇20192020 年：223 篇2021 年：172 篇20212022 年：131 篇2023 年：110 篇20232024 年：158 篇2025 年：161 篇20252026 年：69 篇2026
纵轴为当年收录篇数；峰值 223 篇（2020 年）。
查看数据表
年份篇数占比
2026694.1%
20251619.6%
20241589.4%
20231106.6%
20221317.8%
202117210.3%
202022313.3%
201917210.3%
201817510.5%
2017985.9%
2016794.7%
2015603.6%
2014412.5%
2013241.4%

代表作

  1. 0
    Tunnel Field-Effect Transistors: State-of-the-Art ↗

    2014 年 · 被引 635 次

  2. 1
    Tunnel Field-Effect Transistors: Prospects and Challenges ↗

    2015 年 · 被引 526 次

  3. 2
    A Review of the Pinned Photodiode for CCD and CMOS Image Sensors ↗

    2014 年 · 被引 475 次

  4. 3
    Controlling Ambipolar Current in Tunneling FETs Using Overlapping Gate-on-Drain ↗

    2014 年 · 被引 322 次

  5. 4
    Characterization and Compact Modeling of Nanometer CMOS Transistors at Deep-Cryogenic Temperatures ↗

    2018 年 · 被引 256 次

  6. 5
    FinFET Versus Gate-All-Around Nanowire FET: Performance, Scaling, and Variability ↗

    2018 年 · 被引 252 次

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